EPC2012详细
TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
EPC2012参数
包装:带卷 (TR)可替代的包装,系列:eGaN®,FET 类型:GaNFET N 通道,氮化镓,FET 功能:逻辑电平门,漏源极电压 (Vdss):200V,电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):3A,不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):100 毫欧 @ 3A,5V,不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA,不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.5nC @ 100V,不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):128pF @ 100V,功率 - 最大值:-,安装类型:表面贴装,封装/外壳:模具,供应商器件封装:模具